Какви са четирите региона на MOSFET?

Четирите области на N-канален усилващ MOSFET

(1) Област с променливо съпротивление (наричана още ненаситена област)

Ucs" Ucs (th) (напрежение на включване), uDs" UGs-Ucs (th), е областта отляво на предварително затегнатата следа на фигурата, където каналът е включен. Стойността на UD е малка в този регион и съпротивлението на канала основно се контролира само от UG. Когато uGs е сигурен, ip и uDs в линейна връзка, регионът се апроксимира като набор от прави линии. По това време тръбата с ефект на полето D, S между еквивалента на UGS напрежение

Контролиран от напрежението UGS променливо съпротивление.

(2) регион с постоянен ток (известен също като регион на насищане, регион на усилване, активен регион)

Ucs ≥ Ucs (h) и Ubs ≥ UcsUssth), за фигурата на дясната страна на предварително прищипване извън пътя, но все още не е разбита в региона, в региона, когато uGs трябва да бъде, ib почти не промяна с UDs, е постоянен ток характеристики. i се контролира само от UGs, тогава MOSFETD, S е еквивалентен на напрежение uGs управление на източника на ток. MOSFET се използва в схеми за усилване, като цяло върху работата на MOSFET D, S е еквивалентен на напрежение uGs контролен източник на ток. MOSFET, използван в схеми за усилване, обикновено работи в региона, така известен също като зоната на усилване.

(3) Област на изрязване (наричана още зона на изрязване)

Област на изрязване (известна също като зона на изрязване), за да отговаря на ucs "Ues (th) за фигурата близо до хоризонталната ос на региона, целият канал е закрепен, известен като пълно изрязване, io = 0 , тръбата не работи.

(4) местоположение на зоната на повреда

Областта на разпадане се намира в областта от дясната страна на фигурата. С нарастващите UD, PN преходът е подложен на твърде много обратно напрежение и разрушаване, ip се увеличава рязко. Тръбата трябва да работи така, че да не работи в зоната на повреда. Кривата на трансферната характеристика може да бъде получена от кривата на изходната характеристика. На метода, използван като графика за намиране. Например, на Фигура 3 (a) за Ubs = 6V вертикална линия, нейното пресичане с различните криви, съответстващи на i, Us стойностите в ib-Uss координатите, свързани с кривата, т.е., за да се получи кривата на трансферната характеристика.

Параметри наMOSFET

Има много параметри на MOSFET, включително параметри за постоянен ток, параметри за променлив ток и гранични параметри, но само следните основни параметри трябва да бъдат взети под внимание при обща употреба: наситен ток на изтичане-източник IDSS напрежение на прищипване Up, (тръби от съединителен тип и изчерпване -тип тръби с изолиран затвор или напрежение на включване UT (подсилени тръби с изолиран затвор), транс-проводимост gm, напрежение на пробив на източник на утечка BUDS, максимална разсеяна мощност PDSM и максимален ток на източник на изтичане IDSM.

(1) Ток на наситен дрейн

Токът на насищане на изтичане IDSS е токът на изтичане в MOSFET с изолиран порт на съединителен или изчерпващ тип, когато напрежението на гейта UGS = 0.

(2) Напрежение на изключване

Напрежението на прищипване UP е напрежението на гейта в MOSFET с изолиран порт от тип свързване или изчерпване, което просто прекъсва между източването и източника. Както е показано в 4-25 за N-канална тръба UGS, ID крива може да се разбере, за да се види значението на IDSS и UP

MOSFET четири региона

(3) Включително напрежение

Напрежението на включване UT е напрежението на гейта в MOSFET с подсилен изолиран порт, което прави източника между дрейните просто проводим.

(4) Проводимост

Транспроводимостта gm е контролната способност на напрежението на източника на затвора UGS върху тока на изтичане ID, т.е. съотношението на промяната в ID на тока на изтичане към промяната в напрежението на източника на затвора UGS. 9m е важен параметър, претеглящ способността за усилване наMOSFET.

(5) Пробивно напрежение на дрейн източник

Пробивното напрежение на източника на изтичане BUDS се отнася до напрежението на източника на портата UGS определено, нормалната работа на MOSFET може да приеме максималното напрежение на източника на изтичане. Това е граничен параметър, добавено към работното напрежение на MOSFET трябва да бъде по-малко от BUDS.

(6) Максимално разсейване на мощността

Максималното разсейване на мощността PDSM също е граничен параметър, отнася се доMOSFETпроизводителността не се влошава, когато максимално допустимото разсейване на мощността на източника на утечка. При използване на MOSFET практическата консумация на енергия трябва да бъде по-малка от PDSM и да остави определен запас.

(7) Максимален ток на изтичане

Максималният ток на утечка IDSM е друг граничен параметър, отнасящ се до нормалната работа на MOSFET, източникът на утечка на максималния ток, разрешен да премине през работния ток на MOSFET, не трябва да надвишава IDSM.

Принцип на работа на MOSFET

Принципът на работа на MOSFET (N-канално подобрение MOSFET) е да се използва VGS за контролиране на количеството "индуктивен заряд", за да се промени състоянието на проводимия канал, образуван от този "индуктивен заряд", и след това да се постигне целта за контролиране на изтичащия ток. Целта е да се контролира тока на източване. При производството на тръби, чрез процеса на създаване на голям брой положителни йони в изолационния слой, така че от другата страна на интерфейса могат да бъдат предизвикани повече отрицателни заряди, тези отрицателни заряди могат да бъдат предизвикани.

Когато напрежението на затвора се промени, количеството заряд, индуциран в канала, също се променя, ширината на проводящия канал също се променя и по този начин ID на изтичащия ток се променя с напрежението на затвора.

MOSFET роля

I. MOSFET може да се приложи за усилване. Поради високия входен импеданс на MOSFET усилвателя, свързващият кондензатор може да бъде с по-малък капацитет, без използването на електролитни кондензатори.

Второ, високият входен импеданс на MOSFET е много подходящ за импедансно преобразуване. Обикновено се използва във входното стъпало на многостъпален усилвател за преобразуване на импеданс.

MOSFET може да се използва като променлив резистор.

Четвърто, MOSFET може лесно да се използва като източник на постоянен ток.

Пето, MOSFET може да се използва като електронен ключ.