Разгледайте MOSFET транзисторите

MOSFET са изолиращи MOSFET в интегрални схеми. MOSFET, като едно от най-основните устройства вполупроводника поле, се използват широко в схеми на ниво платка, както и в дизайна на IC. Източването и източникът наMOSFET транзистори могат да бъдат разменени и се формират в P-тип задна врата с N-тип област. Като цяло, двата източника са взаимозаменяеми, като и двата образуват област от N-тип вP-тип задна врата. Като цяло тези две зони са еднакви и дори тези две секции да бъдат превключени, работата на устройството няма да бъде засегната. Следователно устройството се счита за симетрично.

Принцип:

MOSFET използва VGS, за да контролира количеството на "индуцирания заряд", за да промени състоянието на проводимия канал, образуван от тези "индуцирани заряди", за да контролира изтичащия ток. Когато се произвеждат MOSFET, голям брой положителни йони се появяват в изолационния слой чрез специални процеси, така че повече отрицателни заряди могат да бъдат усетени от другата страна на интерфейса, а N-областта на примесите с висока пропускливост е свързана с тези отрицателни заряди и проводящият канал се формира и се генерира сравнително голям ток на източване, ID, дори ако VGS е 0. Ако напрежението на затвора се промени, количеството на индуцираният заряд в канала също се променя и ширината на проводящия канал се променя в същата степен. Ако напрежението на затвора се промени, количеството индуциран заряд в канала също ще се промени и ширината на проводящия канал също ще се промени, така че идентификаторът на тока на изтичане ще се промени заедно с напрежението на затвора.

Роля:

1. Може да се приложи към веригата на усилвателя. Поради високия входен импеданс на MOSFET усилвателя, капацитетът на съединителя може да бъде по-малък и електролитни кондензатори не могат да се използват.

Високият входен импеданс е подходящ за преобразуване на импеданс. Често се използва за преобразуване на импеданс във входния етап на многостъпални усилватели.

3、Може да се използва като променлив резистор.

4, може да се използва като електронен превключвател.

MOSFETs вече се използват в широк спектър от приложения, включително високочестотни глави в телевизори и импулсни захранвания. В днешно време биполярните обикновени транзистори и MOS се комбинират, за да образуват IGBT (биполярен транзистор с изолиран порт), който се използва широко в области с висока мощност, а MOS интегралните схеми имат характеристиката на ниска консумация на енергия и сега процесорите са широко използвани в MOS вериги.