Това е опакованоMOSFETпироелектричен инфрачервен сензор. Правоъгълната рамка е сензорният прозорец. Изводът G е заземяващият извод, изводът D е вътрешният дрейн на MOSFET, а изводът S е вътрешният източник на MOSFET. Във веригата G е свързан към земята, D е свързан към положителното захранване, инфрачервените сигнали се въвеждат от прозореца, а електрическите сигнали се извеждат от S.
Съдебната врата G
Драйверът MOS играе главно ролята на оформяне на формата на вълната и подобряване на управлението: Ако формата на вълната на G сигнала наMOSFETне е достатъчно стръмен, това ще доведе до голяма загуба на мощност по време на етапа на превключване. Неговият страничен ефект е да намали ефективността на преобразуване на веригата. MOSFET ще има силна треска и лесно ще се повреди от топлина. Има известен капацитет между MOSFETGS. , ако способността за управление на сигнала G е недостатъчна, това ще повлияе сериозно на времето за прескачане на формата на вълната.
Свържете накъсо GS полюса, изберете нивото R×1 на мултиметъра, свържете черния тестов проводник към S полюса и червения тестов проводник към D полюса. Съпротивлението трябва да бъде от няколко Ω до повече от десет Ω. Ако се установи, че съпротивлението на даден щифт и неговите два щифта е безкрайно и то все още е безкрайно след смяна на тестовите проводници, се потвърждава, че този щифт е G полюс, тъй като е изолиран от другите два щифта.
Определете източника S и изтичането D
Настройте мултиметъра на R×1k и измерете съответно съпротивлението между трите щифта. Използвайте метода на разменния тестов проводник, за да измерите съпротивлението два пъти. Този с по-ниска стойност на съпротивление (обикновено от няколко хиляди Ω до повече от десет хиляди Ω) е предното съпротивление. По това време черният тестов проводник е S полюсът, а червеният тестов проводник е свързан към D полюса. Поради различните условия на изпитване, измерената RDS(on) стойност е по-висока от типичната стойност, дадена в ръководството.
ЗаMOSFET
Транзисторът има N-тип канал, така че се нарича N-каналMOSFET, илиNMOS. P-канален MOS (PMOS) FET също съществува, който е PMOSFET, съставен от леко легиран N-тип BACKGATE и P-тип източник и изтичане.
Независимо от N-тип или P-тип MOSFET, неговият принцип на работа е по същество един и същ. MOSFET контролира тока при изтичане на изходния терминал чрез напрежението, приложено към портата на входния терминал. MOSFET е устройство с контролирано напрежение. Той контролира характеристиките на устройството чрез напрежението, приложено към портата. Той не предизвиква ефекта на съхранение на заряда, причинен от базовия ток, когато за превключване се използва транзистор. Следователно, при превключване на приложения,MOSFET транзисторитрябва да превключва по-бързо от транзисторите.
FET също получава името си от факта, че неговият вход (наречен гейт) влияе на тока, протичащ през транзистора, като проектира електрическо поле върху изолационен слой. Всъщност през този изолатор не протича ток, така че GATE токът на FET тръбата е много малък.
Най-често срещаният FET използва тънък слой силициев диоксид като изолатор под GATE.
Този тип транзистор се нарича металооксиден полупроводников (MOS) транзистор или металнооксиден полупроводников полеви транзистор (MOSFET). Тъй като MOSFET транзисторите са по-малки и по-енергоефективни, те са заменили биполярните транзистори в много приложения.
Време на публикуване: 10 ноември 2023 г
