Какви са употребите на MOSFET?

MOSFET транзисторисе използват широко. Сега някои широкомащабни интегрални схеми се използват MOSFET, основната функция и BJT транзистор, са превключване и усилване. По принцип BJT триодът може да се използва където може да се използва и на някои места производителността е по-добра от триода.

 

Усилване на MOSFET

MOSFET и BJT триод, въпреки че и двете са полупроводникови усилватели, но имат повече предимства от триода, като високо входно съпротивление, източникът на сигнал почти няма ток, което е благоприятно за стабилността на входния сигнал. Това е идеално устройство като усилвател на входния етап и също така има предимствата на нисък шум и добра температурна стабилност. Често се използва като предусилвател за вериги за аудио усилване. Въпреки това, тъй като това е устройство за ток, контролирано от напрежението, изтичащият ток се контролира от напрежението между източника на портата, коефициентът на усилване на нискочестотната транспроводимост обикновено не е голям, така че способността за усилване е лоша.

 

Превключващ ефект на MOSFET

MOSFET, използван като електронен ключ, поради това, че разчита само на полионна проводимост, няма такъв като BJT триод поради основния ток и ефекта на съхранение на заряда, така че скоростта на превключване на MOSFET е по-бърза от триода, като превключваща тръба често се използва за високочестотни случаи с висок ток, като импулсни захранвания, използвани в MOSFET във високочестотно състояние на висок ток на работата. В сравнение с триодните превключватели BJT, MOSFET превключвателите могат да работят при по-ниски напрежения и токове и са по-лесни за интегриране в силициеви пластини, така че се използват широко в големи интегрални схеми.

Какви са предпазните мерки при употребаMOSFET транзистори?

MOSFETs са по-деликатни от триодите и могат лесно да се повредят при неправилна употреба, така че трябва да се внимава особено, когато се използват.

(1) Необходимо е да изберете подходящия тип MOSFET за различни случаи на употреба.

(2) MOSFET, особено MOSFET с изолиран затвор, имат висок входен импеданс и трябва да бъдат съединени на късо към всеки електрод, когато не се използват, за да се избегне повреда на тръбата поради индуктивния заряд на затвора.

(3) Напрежението на източника на портата на MOSFET транзисторите на кръстовището не може да бъде обърнато, но може да бъде запазено в състояние на отворена верига.

(4) За да се поддържа високият входен импеданс на MOSFET, тръбата трябва да се пази от влага и да се поддържа суха в работната среда.

(5) Заредените предмети (като поялник, тестови инструменти и т.н.) в контакт с MOSFET трябва да бъдат заземени, за да се избегне повреда на тръбата. Особено при заваряване на MOSFET с изолиран порта, според последователния ред на заваряване източник - порта, най-добре е да заварявате след изключване на захранването. Подходяща е мощността на поялника до 15 ~ 30 W, времето за заваряване не трябва да надвишава 10 секунди.

(6) MOSFET с изолиран порта не може да се тества с мултицет, може да се тества само с тестер и само след достъп до тестера за отстраняване на окабеляването на електродите на късо съединение. Когато се отстрани, е необходимо да се съединят накъсо електродите преди отстраняване, за да се избегне надвисването на портата.

(7) При използванеMOSFET транзисторипри субстратни проводници, субстратните проводници трябва да бъдат правилно свързани.