MOSFET транзисторииграя роляв комутационни веригие да контролира включването и изключването на веригата и преобразуването на сигнала.MOSFET транзистори може да се раздели най-общо на две категории: N-канал и P-канал.
В N-каналаMOSFETверига, щифтът BEEP е висок, за да активира реакцията на зумера, и нисък, за да изключи зумера. P-каналMOSFETза управление на включване и изключване на захранването на GPS модула, щифтът GPS_PWR е нисък, когато е включен, GPS модулът е нормално захранване, и високо, за да изключите захранването на GPS модула.
P-каналMOSFETв N-тип силициев субстрат на P + региона има две: изтичане и източник. Тези два полюса не са проводими един към друг, когато има достатъчно положително напрежение, добавено към източника, когато е заземен, N-тип силициевата повърхност под портата ще се появи като P-тип обратен слой, в канал, свързващ дренажа и източника . Промяната на напрежението на портата променя плътността на дупките в канала, като по този начин променя съпротивлението на канала. Това се нарича полеви транзистор с подобрение на P-канала.
Характеристики на NMOS, Vgs, стига да са включени по-високи от определена стойност, приложими към корпуса на заземеното устройство от нисък клас на източника, при условие че напрежението на портата е 4V или 10V на линията.
Характеристиките на PMOS, за разлика от NMOS, ще се включат, докато Vgs е по-малко от определена стойност и е подходящо за използване в случай на устройство от висок клас, когато източникът е свързан към VCC. Въпреки това, поради малкия брой заместващи типове, високото съпротивление при включване и високата цена, въпреки че PMOS може да се използва много удобно в случай на устройство от висок клас, така че в устройството от висок клас обикновено все още използвайте NMOS.
като цяло,MOSFET транзисториимат висок входен импеданс, улесняват директното свързване във веригите и са относително лесни за производство в широкомащабни интегрални схеми.
Време на публикуване: 20 юли 2024 г
