Има две основни решения:
Единият е да се използва специален драйверен чип за задвижване на MOSFET или използването на бързи фотодвойки, транзисторите представляват верига за задвижване на MOSFET, но първият тип подход изисква осигуряването на независимо захранване; другият тип импулсен трансформатор за задвижване на MOSFET и в импулсната задвижваща верига, как да се подобри честотата на превключване на задвижващата верига, за да се увеличи капацитетът на задвижване, доколкото е възможно, за да се намали броят на компонентите, е спешната нужда за решаване натекущи проблеми.
Първият тип схема на задвижване, половин мост, изисква две независими захранвания; пълен мост изисква три независими захранвания, както полумост, така и пълен мост, твърде много компоненти, които не водят до намаляване на разходите.
Вторият тип програма за задвижване, а патентът е най-близкото ниво на техниката за името на изобретението „висока мощностMOSFET задвижваща верига" патент (номер на приложение 200720309534. 8), патентът добавя само съпротивление на разряд, за да освободи източника на портата на високомощен MOSFET заряд, за да постигне целта на изключване, падащият ръб на PWM сигнала е голям. падащият ръб на PWM сигнала е голям, което ще доведе до бавно изключване на MOSFET, загубата на мощност е много голяма;
В допълнение, работата на патентната програма MOSFET е податлива на смущения и чипът за управление на ШИМ трябва да има голяма изходна мощност, което прави температурата на чипа висока, което се отразява на експлоатационния живот на чипа. Съдържание на изобретението Целта на този полезен модел е да осигури високомощна MOSFET задвижваща верига, работеща по-стабилно и нулева, за да се постигне целта на това техническо решение на изобретението на полезен модел - мощна MOSFET задвижваща верига, изходният сигнал на чипът за управление на ШИМ е свързан към първичния импулсен трансформатор, т първи изход oако вторичният импулсен трансформатор е свързан към първия MOSFET гейт, вторият изход на вторичния импулсен трансформатор е свързан към първия MOSFET гейт, вторият изход на вторичния импулсен трансформатор е свързан към първия MOSFET гейт. Първият изход на вторичния импулсен трансформатор е свързан към портата на първия MOSFET, вторият изход на вторичния импулсен трансформатор е свързан към портата на втория MOSFET, характеризиращ се с това, че първият изход на вторичния импулсен трансформатор също е свързан към първия разряден транзистор, а вторият изход на вторичния импулсен трансформатор също е свързан към втория разряден транзистор. Първичната страна на импулсния трансформатор също е свързана към верига за съхранение и освобождаване на енергия.
Веригата за освобождаване на съхранение на енергия включва резистор, кондензатор и диод, резисторът и кондензаторът са свързани паралелно, а гореспоменатата паралелна верига е свързана последователно с диода. Полезният модел има благоприятен ефект. Полезният модел също има първи разряден транзистор, свързан към първия изход на вторичния трансформатор, и втори разряден транзистор, свързан към втория изход на импулсния трансформатор, така че когато импулсният трансформатор изведе нисък ниво, първият MOSFET и вторият MOSFET могат бързо да бъдат разредени, за да се подобри скоростта на изключване на MOSFET и да се намали загубата на MOSFET. Сигналът на контролния чип на PWM е свързан към MOSFET за усилване на сигнала между първичния изход и импулса първичен трансформатор, който може да се използва за усилване на сигнала. Сигналният изход на ШИМ контролния чип и първичния импулсен трансформатор са свързани към MOSFET за усилване на сигнала, което може допълнително да подобри управляващата способност на ШИМ сигнала.
Първичният импулсен трансформатор също е свързан към верига за освобождаване на съхранение на енергия, когато PWM сигналът е на ниско ниво, веригата за освобождаване на съхранение на енергия освобождава съхранената енергия в импулсния трансформатор, когато PWM е на високо ниво, гарантирайки, че портата източник на първия MOSFET и втория MOSFET е изключително нисък, което играе роля за предотвратяване на смущения.
В специфично изпълнение MOSFET с ниска мощност Q1 за усилване на сигнала е свързан между извода на изхода на сигнала A на контролния чип PWM и първичния на импулсния трансформатор Tl, първият изходен извод на вторичния на импулсния трансформатор е свързан към портата на първия MOSFET Q4 чрез диода D1 и задвижващия резистор Rl, вторият изходен извод на вторичната намотка на импулсния трансформатор е свързан към портата на втория MOSFET Q5 чрез диода D2 и задвижващия резистор R2, и първият изходен терминал на вторичната обмотка на импулсния трансформатор също е свързан към първия дрейн триод Q2, а вторият дрейн триод Q3 също е свързан към втория дрейн триод Q3. MOSFET Q5, първият изходен извод на вторичния импулсен трансформатор също е свързан към първи дрейн транзистор Q2, а вторият изходен извод на вторичния импулсен трансформатор също е свързан към втори дрейн транзистор Q3.
Гейтът на първия MOSFET Q4 е свързан към дренажния резистор R3, а портата на втория MOSFET Q5 е свързан към дренажния резистор R4. първичната част на импулсния трансформатор Tl също е свързана към верига за съхранение и освобождаване на енергия, а веригата за съхранение и освобождаване на енергия включва резистор R5, кондензатор Cl и диод D3, а резисторът R5 и кондензаторът Cl са свързани в паралелен, а гореспоменатата паралелна верига е свързана последователно с диода D3. изходът на PWM сигнал от чипа за управление на PWM е свързан към MOSFET Q2 с ниска мощност, а MOSFET Q2 с ниска мощност е свързан към вторичната обмотка на импулсния трансформатор. се усилва от нискомощния MOSFET Ql и се извежда към първичната част на импулсния трансформатор Tl. Когато PWM сигналът е висок, първият изходен извод и вторият изходен извод на вторичната обмотка на импулсния трансформатор Tl извеждат сигнали с високо ниво, за да задвижат първия MOSFET Q4 и втория MOSFET Q5 да провеждат.
Когато PWM сигналът е нисък, първият изход и вторият изход на вторичния изход на импулсния трансформатор Tl сигнали с ниско ниво, първият източващ транзистор Q2 и вторият източващ транзистор Q3 проводимост, първият капацитет на източника на порта MOSFETQ4 през източващия резистор R3, първият дренажен транзистор Q2 за разреждане, вторият MOSFETQ5 гейт източник на капацитет през дренажния резистор R4, вторият дренажен транзистор Q3 за разреждане, вторият MOSFETQ5 портов източник на капацитет през дренажния резистор R4, вторият дренажен транзистор Q3 за разреждане, вторият MOSFETQ5 порта източник капацитет през дренажния резистор R4, вторият дренажен транзистор Q3 за освобождаване от отговорност. Капацитетът на източника на втория MOSFETQ5 гейт се разрежда през дрейн резистора R4 и втория дрейн транзистор Q3, така че първият MOSFET Q4 и вторият MOSFET Q5 могат да бъдат изключени по-бързо и загубата на мощност може да бъде намалена.
Когато PWM сигналът е нисък, веригата за освобождаване на съхранена енергия, съставена от резистор R5, кондензатор Cl и диод D3, освобождава съхранената енергия в импулсния трансформатор, когато PWM е висока, гарантирайки, че източникът на гейта на първия MOSFET Q4 и втория MOSFET Q5 е изключително нисък, което служи за защита от смущения. Диод Dl и диод D2 провеждат изходния ток еднопосочно, като по този начин осигуряват качеството на формата на вълната на ШИМ и в същото време той също играе ролята на анти-смущения до известна степен.
Време на публикуване: 02 август 2024 г
