Като едно от най-основните устройства в областта на полупроводниците, MOSFET се използва широко както в дизайна на IC, така и в приложенията на схеми на ниво платка. И така, колко знаете за различните параметри на MOSFET? Като специалист по MOSFET за средно и ниско напрежение,Олукейще ви обясни подробно различните параметри на MOSFET!
VDSS максимално издържано напрежение дрейн-източник
Напрежението дрейн-източник, когато протичащият дренажен ток достигне определена стойност (рязко скочи) при определена температура и късо съединение гейт-източник. Напрежението дрейн-източник в този случай също се нарича лавинообразно пробивно напрежение. VDSS има положителен температурен коефициент. При -50°C VDSS е приблизително 90% от този при 25°C. Поради надбавката, която обикновено остава при нормално производство, лавинообразното пробивно напрежение наMOSFETвинаги е по-голямо от номиналното номинално напрежение.
Горещо напомняне на Olukey: За да се гарантира надеждността на продукта, при най-лошите условия на работа, се препоръчва работното напрежение да не надвишава 80~90% от номиналната стойност.
VGSS максимално издържано напрежение порта-източник
Отнася се за стойността на VGS, когато обратният ток между гейт и източника започне да нараства рязко. Превишаването на тази стойност на напрежението ще причини диелектрично разрушаване на оксидния слой на затвора, което е разрушително и необратимо разрушаване.
ID максимален ток изтичане-източник
Отнася се за максималния ток, разрешен да премине между дрейна и източника, когато полевият транзистор работи нормално. Работният ток на MOSFET не трябва да надвишава ID. Този параметър ще намалява с повишаване на температурата на свързване.
IDM максимален импулсен ток дрейн-източник
Отразява нивото на импулсния ток, с което устройството може да се справи. Този параметър ще намалее с повишаване на температурата на прехода. Ако този параметър е твърде малък, системата може да бъде изложена на риск от повреда от ток по време на OCP тестване.
PD максимална разсейвана мощност
Отнася се за максималното разрешено разсейване на мощността дрейн-източник без влошаване на производителността на полевия транзистор. Когато се използва, действителната консумация на енергия на полевия транзистор трябва да бъде по-малка от тази на PDSM и да оставя определен резерв. Този параметър обикновено намалява с повишаване на температурата на свързване.
TJ, TSTG работна температура и температурен диапазон на околната среда за съхранение
Тези два параметъра калибрират температурния диапазон на свързване, разрешен от работната среда и средата на съхранение на устройството. Този температурен диапазон е настроен да отговаря на изискванията за минимален експлоатационен живот на устройството. Ако се гарантира, че устройството работи в този температурен диапазон, експлоатационният му живот ще бъде значително удължен.
Време на публикуване: 15 декември 2023 г
