MOSFET (метал-оксид-полупроводников полеви транзистор) често се считат за напълно контролирани устройства. Това е така, защото работното състояние (включено или изключено) на MOSFET е напълно контролирано от напрежението на портата (Vgs) и не зависи от базовия ток, както в случая на биполярен транзистор (BJT).
В MOSFET, напрежението на затвора Vgs определя дали е образуван проводящ канал между сорс и дрейн, както и ширината и проводимостта на проводящия канал. Когато Vgs превиши праговото напрежение Vt, проводящият канал се формира и MOSFET влиза във включено състояние; когато Vgs падне под Vt, проводящият канал изчезва и MOSFET е в състояние на прекъсване. Това управление е напълно контролирано, тъй като напрежението на гейта може независимо и прецизно да контролира работното състояние на MOSFET, без да разчита на други параметри на тока или напрежението.
Обратно, работното състояние на полуконтролираните устройства (напр. тиристори) се влияе не само от управляващото напрежение или ток, но и от други фактори (напр. анодно напрежение, ток и др.). В резултат на това напълно контролираните устройства (напр. MOSFET) обикновено предлагат по-добра производителност по отношение на точност и гъвкавост на управлението.
В обобщение, MOSFET са напълно контролирани устройства, чието работно състояние е напълно контролирано от напрежението на затвора и имат предимствата на висока точност, висока гъвкавост и ниска консумация на енергия.
Време на публикуване: 20 септември 2024 г
