В наши дни, с бързото развитие на науката и технологиите, полупроводниците се използват във все повече индустрии, в коитоMOSFET също се счита за много често срещано полупроводниково устройство, следващата стъпка е да се разбере каква е разликата между характеристиките на биполярния мощен кристален транзистор и MOSFET на изходната мощност.
1, начина на работа
MOSFET е работата, необходима за насърчаване на работното напрежение, електрическите схеми обясняват сравнително просто, насърчават мощността на малки; мощен кристален транзистор е поток от мощност за насърчаване на програмния дизайн е по-сложен, за насърчаване на спецификацията на избора на труден за насърчаване на спецификацията ще застраши захранването с обща скорост на превключване.
2, общата скорост на превключване на захранването
MOSFET, повлиян от температурата, е малък, изходната мощност на захранването може да гарантира, че повече от 150KHz; мощният кристален транзистор има много малко свободно време за съхранение на зареждане, което ограничава скоростта на превключване на захранването, но изходната му мощност обикновено не надвишава 50 KHz.
3、безопасна работна зона
Мощност MOSFET няма вторична основа и безопасната работна зона е широка; мощният кристален транзистор има вторична базова ситуация, която ограничава безопасната работна зона.
4、Изискване за работа на електрическия проводник работно напрежение
МощностMOSFET принадлежи към тип високо напрежение, работното изискване за проводимост работно напрежение е по-високо, има положителен температурен коефициент; мощен кристален транзистор, без значение колко пари е устойчив на работното изискване работно напрежение, работното напрежение на електрическия проводник е по-ниско и има отрицателен температурен коефициент.
5, максималната мощност на потока
Мощност MOSFET в импулсната захранваща верига захранваща верига захранваща верига захранваща верига като превключвател на захранването, при работа и стабилна работа в средата, максималният поток на мощност е по-нисък; и мощен кристален транзистор в работа и стабилна работа в средата, максималният поток на мощност е по-висок.
6、Цена на продукта
Цената на мощния MOSFET е малко по-висока; цената на захранващия кристален триод е малко по-ниска.
7、Ефект на проникване
Power MOSFET няма ефект на проникване; мощният кристален транзистор има ефект на проникване.
8、Загуба при превключване
Загубата при превключване на MOSFET не е голяма; загубата при превключване на мощния кристален транзистор е сравнително голяма.
В допълнение, по-голямата част от силовите MOSFET интегрирани ударопоглъщащи диоди, докато биполярният мощен кристален транзистор почти няма интегриран ударопоглъщащ диод. MOSFET ударопоглъщащият диод може също да бъде универсален магнит за превключване на захранващи вериги магнитни намотки, за да даде ъгъл на фактора на мощността на канала за безопасност на потока на мощността. Тръба с ефект на полето в амортизиращия диод в целия процес на изключване с общия диод като съществуването на обратен възстановителен ток, в този момент диодът от една страна поема източването - полюсът на източника положителен в средата на значителна повишаване на работните изисквания на работното напрежение, от друга страна, и обратния възстановителен ток.
Време на публикуване: 24 май 2024 г
