MOSFET Detection Flow MOSFET, като едно от най-основните устройства в областта на полупроводниците, се използват широко в различни дизайни на продукти и схеми на ниво платка. Особено в областта на полупроводниците с висока мощност, MOSFET с различни структури играят незаменима роля. Разбира се, високата степен на използване наMOSFET транзистори доведе до някои дребни проблеми. Един от проблемите с изтичане на MOSFET, различните места имат различни решения, така че сме организирали няколко ефективни метода за отстраняване на неизправности за ваша справка.
За детекцията на MOSFET, показана в по-белия аспект:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste podderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende process uit te voeren:
1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekkage; zal niet veranderen is er geen probleem;
2, има трансмисионна връзка около MOSFET порта и бродерия с елкаар вербонден, както и цифров мултицет, който се намира в средата на края на един индик, и MOSFET не е проблем;
3, писалка за MOSFET S, черна писалка за MOSFET, маркиране на метър стик, което не е голямо;
4, met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal marking is over het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op basis van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass, zodat de digitale multimeter meter pool bias, bias hoe groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.
Време на публикуване: 25 май 2024 г
