N тип, тип P MOSFET принципът на работа на същността е същият, MOSFET се добавя главно към входната страна на напрежението на портата, за да контролира успешно изходната страна на изтичащия ток, MOSFET е устройство с контролирано напрежение, чрез добавено напрежение към портата, за да контролира характеристиките на устройството, за разлика от триода, за да прави време за превключване поради базовия ток, причинен от ефекта на съхранение на заряда, в превключващи приложения, MOSFET В превключващи приложения,MOSFET скоростта на превключване е по-бърза от тази на триода.
В импулсното захранване, често използваната отворена дренажна верига MOSFET, дренажът е свързан към товара такъв, какъвто е, наречен отворен дренаж, верига с отворен дренаж, товарът е свързан с това колко високо е напрежението, може да включва, изключва ток на натоварване, е идеалното аналогово превключващо устройство, което е принципът на MOSFET да прави превключващи устройства, MOSFET да извършва превключване под формата на повече вериги.
По отношение на приложенията за импулсно захранване, това приложение изисква MOSFET транзистори за периодично провеждане, изключване, като DC-DC захранване, което обикновено се използва в основния преобразувател на долара, разчита на два MOSFET за изпълнение на функцията за превключване, тези превключватели се редуват в индуктора за съхраняване на енергия, освобождаване на енергията към товара, често избиране стотици kHz или дори повече от 1 MHz, главно защото колкото по-висока е честотата тогава, толкова по-малки са магнитните компоненти. По време на нормална работа MOSFET е еквивалентен на проводник, например MOSFET с висока мощност, MOSFET с ниско напрежение, вериги, захранването е минималната загуба на проводимост на MOS.
PDF параметри на MOSFET, производителите на MOSFET успешно са приели параметъра RDS (ON) за определяне на импеданса на включено състояние, за комутационни приложения RDS (ON) е най-важната характеристика на устройството; листовете с данни дефинират RDS (ON), напрежението на портата (или задвижването) VGS и токът, протичащ през превключвателя, са свързани, за адекватно задвижване на портата RDS (ON) е относително статичен параметър; MOSFET, които са били в проводимост, са предразположени към генериране на топлина и бавно нарастващите температури на свързване могат да доведат до увеличаване на RDS (ON);MOSFET листовете с данни уточняват параметъра на термичния импеданс, който се дефинира като способността на полупроводниковата връзка на MOSFET пакета да разсейва топлината, а RθJC се определя просто като термичния импеданс на връзката към корпуса.
1, честотата е твърде висока, понякога прекаленото преследване на силата на звука, директно ще доведе до висока честота, MOSFET на загубата се увеличава, толкова по-голяма е топлината, не вършат добра работа с подходящ дизайн на разсейване на топлината, висок ток, номиналната текущата стойност на MOSFET, необходимостта от добро разсейване на топлината, за да може да се постигне; ID е по-малък от максималния ток, може да има сериозна топлина, необходимост от подходящи спомагателни радиатори.
2, грешки при избора на MOSFET и грешки в преценката на мощността, вътрешното съпротивление на MOSFET не е напълно взето под внимание, ще доведе директно до повишен импеданс на превключване, когато се работи с проблеми с нагряването на MOSFET.
3, поради проблеми с дизайна на веригата, водещи до топлина, така че MOSFET да работи в линейно работно състояние, а не в състояние на превключване, което е пряка причина за нагряване на MOSFET, например N-MOS извършва превключване, G- напрежението на нивото трябва да е по-високо от захранването с няколко V, за да може да се проведе напълно, P-MOS е различен; при липса на напълно отворен, спадът на напрежението е твърде голям, което ще доведе до консумация на енергия, еквивалентният DC импеданс е по-голям, спадът на напрежението също ще се увеличи, U * I също ще се увеличи, загубата ще доведе до топлина.
Време на публикуване: 01 август 2024 г
