Има много вариации на символи на вериги, които обикновено се използват за MOSFET. Най-често срещаният дизайн е права линия, представляваща канала, две линии, перпендикулярни на канала, представляващи източника и изтичането, и по-къса линия, успоредна на канала вляво, представляваща портата. Понякога правата линия, представляваща канала, също се заменя с прекъсната линия, за да се разграничи режимът на подобрениеMOSFET или MOSFET в режим на изчерпване, който също е разделен на N-канален MOSFET и P-канал MOSFET два вида символи на веригата, както е показано на фигурата (посоката на стрелката е различна).
Мощните MOSFET работят по два основни начина:
(1) Когато се добави положително напрежение към D и S (оттичане положително, източник отрицателно) и UGS=0, PN преходът в областта на тялото P и областта на изтичане на N е обратно предубеден и няма ток, преминаващ между D и S. Ако се добави положително напрежение UGS между G и S, няма да тече ток на гейта, защото гейтът е изолиран, но положителното напрежение на гейта ще избута дупките далеч от областта P отдолу и електроните на малцинствения носител ще бъдат привлечени от повърхността на P областта Когато UGS е по-голямо от определено напрежение UT, концентрацията на електрони на повърхността на P областта под портата ще надвиши концентрацията на дупки, като по този начин прави P-тип полупроводниковия слой с антимодел N-тип полупроводник ; този антимоделен слой образува N-тип канал между източника и дренажа, така че PN преходът изчезва, източникът и дренажът са проводими и през дренажа протича дрейнов ток ID. UT се нарича напрежение при включване или прагово напрежение и колкото повече UGS надвишава UT, толкова по-проводима е проводимата способност и толкова по-голям е ID. Колкото UGS надвишава UT, толкова по-силна е проводимостта, толкова по-голям е ID.
(2) Когато D, S плюс отрицателно напрежение (източник положителен, изтичане отрицателен), PN преходът е предубеден, еквивалентен на вътрешен обратен диод (няма характеристики на бърза реакция), т.е.MOSFET няма способност за обратно блокиране, може да се разглежда като компоненти с обратна проводимост.
отMOSFET принципът на работа може да се види, неговата проводимост само с една полярност носители, участващи в проводимостта, така известен също като еднополярен транзистор. MOSFET задвижването често се основава на параметрите на захранването IC и MOSFET, за да изберете подходящата верига, MOSFET обикновено се използва за превключване задвижваща верига на захранване. Когато проектират импулсно захранване с помощта на MOSFET, повечето хора вземат предвид съпротивлението при включване, максималното напрежение и максималния ток на MOSFET. Хората обаче много често вземат предвид само тези фактори, за да може веригата да работи правилно, но това не е добро дизайнерско решение. За по-подробен дизайн, MOSFET трябва също да вземе предвид информацията за собствените си параметри. За определен MOSFET, неговата задвижваща верига, пиковият ток на изхода на задвижването и т.н., ще повлияят на производителността на превключване на MOSFET.
Време на публикуване: 17 май-2024 г
