Зареждането на литиева батерия е лесно за повреда, WINSOK MOSFET ви помага!

Време на публикуване: 28 юли 2024 г

Литиевият като нов вид екологично чисти батерии отдавна постепенно се използва в акумулаторни автомобили. Неизвестно поради характеристиките на акумулаторните батерии с литиево-железен фосфат, процесът на зареждане на батерията трябва да се използва, за да се извърши поддръжка, за да се предотврати загуба на енергия при презареждане или прегряване, за да се гарантира, че акумулаторната батерия работи безопасно. Защитата от свръхток обаче е поляризация на целия процес на зареждане и разреждане при екстремни стандарти за работа, така че как да изберем спецификациите на модела MOSFET на мощността и програмите за проектиране, подходящи за задвижващата верига?

Зареждането на литиева батерия е лесно за повреда, WINSOK MOSFET ви помага!

Специфична работа, базирана на различни приложения, ще приложи няколко мощностни MOSFET транзистори, работещи паралелно, за да се намали съпротивлението при включване и да се подобрят характеристиките на топлопроводимост. Цялата нормална работа, манипулиране на сигнала за данни за манипулиране на MOSFET, клеми P и P- изходно напрежение на пакета литиева батерия за оперативни приложения. По това време силовият MOSFET е бил в ситуация на проводимост, загубата на мощност е само загуба на проводимост, няма загуба на мощност при превключване, общата загуба на мощност на мощния MOSFET не е висока, повишаването на температурата е малко, така че мощният MOSFET може работете безопасно.

Зареждането на литиева батерия е лесно за повреда, WINSOK MOSFET ви помага! (1)

Когато обаче лоаd генерира повреда при късо съединение, капацитетът на късо съединение внезапно се увеличава от няколко десетки ампера за нормална работа до няколко стотици ампера, тъй като съпротивлението на веригата не е голямо и акумулаторната батерия има силен капацитет за зареждане и мощносттаMOSFET транзистори са много лесни за унищожаване в такъв случай. Ето защо, ако е възможно, изберете MOSFET с малък RDS (ON), така че по-малкоMOSFET транзистори може да се използва паралелно. Няколко паралелни MOSFET са податливи на токов дисбаланс. Необходими са отделни и идентични натискащи резистори за паралелни MOSFET, за да се избегнат колебания между MOSFET.