Въведение в принципа на работа на често използваните MOSFET с висока мощност

Днес на често използваната висока мощностMOSFETза да представим накратко принципа му на работа. Вижте как реализира собствената си работа.

Метален оксид-полупроводник, тоест метал-оксид-полупроводник, точно това име описва структурата на MOSFET в интегралната схема, тоест: в определена структура на полупроводниковото устройство, свързано със силициев диоксид и метал, образуването на портата.

Източникът и изтичането на MOSFET са противоположни, като и двете са N-тип зони, формирани в P-тип backgate. В повечето случаи двете зони са еднакви, дори ако двата края на настройката няма да повлияят на работата на устройството, такова устройство се счита за симетрично.

Класификация: според вида на материала на канала и вида на изолираната порта на всеки N-канал и два P-канала; според проводимия режим: MOSFET е разделен на изчерпване и подобрение, така че MOSFET е разделен на N-канален изчерпване и подобрение; Изчерпване на P-канала и подобряване на четири основни категории.

MOSFET принцип на действие – структурните характеристики наMOSFETтой провежда само една полярност носители (полис), участващи в проводимостта, е еднополярен транзистор. Провеждащият механизъм е същият като MOSFET с ниска мощност, но структурата има голяма разлика, MOSFET с ниска мощност е хоризонтално проводимо устройство, по-голямата част от вертикалната проводяща структура на MOSFET с мощност, известна още като VMOSFET, което значително подобрява MOSFET способност на устройството да издържа на напрежение и ток. Основната характеристика е, че има слой от силициева изолация между металната порта и канала и следователно има високо входно съпротивление, тръбата провежда в две високи концентрации на n дифузионна зона, за да образува n-тип проводящ канал. MOSFET-ите с n-канално подобрение трябва да се прилагат към гейта с предно отклонение и само когато напрежението на източника на гейт е по-голямо от праговото напрежение на проводимия канал, генериран от n-канален MOSFET. MOSFET с n-канален тип изчерпване са n-канални MOSFET, в които се генерират проводящи канали, когато не е приложено напрежение на портата (напрежението на източника на врата е нула).

Принципът на работа на MOSFET е да контролира количеството на "индуцирания заряд" чрез използване на VGS за промяна на състоянието на проводящия канал, образуван от "индуцирания заряд", и след това да се постигне целта за контролиране на изтичащия ток. При производството на тръби, чрез процеса на изолационен слой при появата на голям брой положителни йони, така че от другата страна на интерфейса може да се предизвика повече отрицателен заряд, тези отрицателни заряди до високото проникване на примеси в N област, свързана с образуването на проводящ канал, дори при VGS = 0 също има голям ток на утечка ID. когато напрежението на затвора се промени, количеството заряд, индуциран в канала, също се променя, ширината на проводящия канал и стеснението на канала и се променят, и по този начин ID на тока на утечка с напрежението на затвора. текущият ID варира в зависимост от напрежението на гейта.

Сега приложението наMOSFETзначително подобри ученето на хората, ефективността на работата, като същевременно подобри качеството ни на живот. Имаме по-рационално разбиране за това чрез някакво просто разбиране. Не само ще се използва като инструмент, повече разбиране на неговите характеристики, принципа на работа, което също ще ни достави много забавление.