Разлики между IGBT и MOSFET

IGBT (биполярен транзистор с изолиран затвор) и MOSFET (метал-оксид-полупроводников полев транзистор) са две често срещани силови полупроводникови устройства, широко използвани в силовата електроника. Докато и двете са основни компоненти в различни приложения, те се различават значително в няколко аспекта. По-долу са основните разлики между IGBT и MOSFET:

1. Принцип на работа

- IGBT: IGBT съчетава характеристиките както на BJT (биполярен съединителен транзистор), така и на MOSFET, което го прави хибридно устройство. Той управлява основата на BJT чрез напрежението на портата на MOSFET, което от своя страна контролира проводимостта и прекъсването на BJT. Въпреки че процесите на проводимост и прекъсване на IGBT са сравнително сложни, той се характеризира с ниски загуби на напрежение при проводимост и толерантност към високо напрежение.

- MOSFET: MOSFET е транзистор с полеви ефекти, който контролира тока в полупроводник чрез напрежение на гейта. Когато напрежението на затвора превиши напрежението на източника, се образува проводящ слой, позволяващ протичането на ток. Обратно, когато напрежението на затвора е под прага, проводимият слой изчезва и токът не може да тече. Работата на MOSFET е относително проста, с бързи скорости на превключване.

2. Области на приложение

- IGBT: Благодарение на своята устойчивост на високо напрежение, ниска загуба на напрежение при проводимост и бърза производителност на превключване, IGBT е особено подходящ за приложения с висока мощност и ниски загуби като инвертори, двигателни драйвери, машини за заваряване и непрекъсваеми захранвания (UPS) . В тези приложения IGBT ефективно управлява операциите по превключване на високо напрежение и висок ток.

- MOSFET: MOSFET, със своята бърза реакция, високо входно съпротивление, стабилна производителност на превключване и ниска цена, се използва широко в приложения с ниска мощност, бързо превключване, като захранващи устройства в режим на превключване, осветление, аудио усилватели и логически схеми . MOSFET се представя изключително добре в приложения с ниска мощност и ниско напрежение.