WSR140N12 N-канален 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Кратко описание:

Номер на модела:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

ДОКУМЕНТ ЗА САМОЛИЧНОСТ:140А

канал:N-канал

Пакет:ТО-220-3Л

Резюме на продукта:Напрежението на WSR140N12 MOSFET е 120V, токът е 140A, съпротивлението е 5mΩ, каналът е N-канален, а опаковката е TO-220-3L.

Приложения:Захранване, медицина, основни уреди, BMS и др.

Изпратете имейл до нас PDF

Подробности за продукта

Приложение

Продуктови етикети

Общо описание

WSR140N12 е N-ch MOSFET с най-висока производителност с изключително висока плътност на клетките, които осигуряват отличен RDSON и заряд на гейта за повечето от приложенията на синхронния понижаващ конвертор.WSR140N12 отговаря на изискването за RoHS и екологичен продукт, 100% гарантирано EAS с одобрена пълна функционална надеждност.

Характеристика

Усъвършенствана технология Trench с висока плътност на клетките, супер нисък заряд на вратата, отличен спад на ефекта на CdV/dt, 100% гаранция за EAS, налично зелено устройство.

Приложения

Високочестотен синхронен преобразувател на точката на натоварване, мрежова DC-DC захранваща система, захранване, медицински, основни уреди, BMS и др.

съответния номер на материала

ST STP40NF12 и др.

Важни параметри

Символ	Параметър	Рейтинг	Единици
VDS	Напрежение дрейн-източник	120	V
VGS	Напрежение порта-източник	±20	V
ID	Непрекъснат дренажен ток, VGS @ 10V (TC=25 ℃)	140	A
IDM	Импулсен дренажен ток	330	A
EAS	Единична импулсна лавинна енергия	400	mJ
PD	Общо разсейване на мощността... C=25 ℃)	192	W
RθJA	Термично съпротивление, съединение-околна среда	62	℃/W
RθJC	Термично съпротивление, съединителна кутия	0,65	℃/W
TSTG	Температурен диапазон на съхранение	-55 до 150	℃
TJ	Работен температурен диапазон на свързване	-55 до 150	℃

Символ	Параметър	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Мерна единица
BVDSS	Пробивно напрежение дрейн-източник	VGS=0V, ID=250uA	120	---	---	V
RDS (ВКЛ.)	Статично съпротивление на дрейн-източник2	VGS=10V, ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(th)	Прагово напрежение на вратата	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Ток на изтичане-източник	VDS=120V, VGS=0V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Ток на утечка на порта-източник	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Общо изходно зареждане	VDS=50V, VGS=10V, ID=15A	---	68.9	---	nC
Qgs	Заряд порта-източник		---	18.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	15.9	---
Td (включено)	Време за забавяне на включване	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Време за издигане		---	33,0	---
Td (изключено)	Време за забавяне на изключване		---	59.5	---
Tf	Есенно време		---	11.7	---
Ciss	Входен капацитет	VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz	---	5823	---	pF
Кос	Изходен капацитет		---	778.3	---
Крос	Обратен трансферен капацитет		---	17.5	---