WSM340N10G N-канален 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Кратко описание:

Номер на модела:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ДОКУМЕНТ ЗА САМОЛИЧНОСТ:340А

канал:N-канал

Пакет:ТОЛ-8Л

Резюме на продукта:Напрежението на WSM340N10G MOSFET е 100V, токът е 340A, съпротивлението е 1.6mΩ, каналът е N-канален, а опаковката е TOLL-8L.

Приложения:Медицинско оборудване, дронове, PD захранвания, LED захранвания, индустриално оборудване и др.

Изпратете имейл до нас PDF

Подробности за продукта

Приложение

Продуктови етикети

Общо описание

WSM340N10G е N-Ch MOSFET с най-висока производителност с екстремно висока плътност на клетките, която осигурява отличен RDSON и заряд на гейта за повечето от приложенията на синхронния понижаващ конвертор.WSM340N10G отговаря на изискването за RoHS и екологичен продукт, 100% гарантирано EAS с одобрена пълна функционална надеждност.

Характеристика

Усъвършенствана технология Trench с висока плътност на клетките, супер нисък заряд на вратата, отличен спад на CdV/dt ефекта, 100% EAS гарантирано, налично зелено устройство.

Приложения

Синхронно коригиране, DC/DC преобразувател, превключвател на товара, медицинско оборудване, дронове, PD захранвания, LED захранвания, индустриално оборудване и др.

Важни параметри

Абсолютни максимални оценки

Символ	Параметър	Рейтинг	Единици
VDS	Напрежение дрейн-източник	100	V
VGS	Напрежение порта-източник	±20	V
ID@TC=25 ℃	Непрекъснат дренажен ток, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100 ℃	Непрекъснат дренажен ток, VGS @ 10V	230	A
IDM	Импулсен дренажен ток..TC=25°C	1150	A
EAS	Лавинна енергия, единичен импулс, L=0.5mH	1800 г	mJ
IAS	Лавинен ток, единичен импулс, L=0.5mH	120	A
PD@TC=25 ℃	Общо разсейване на мощността	375	W
PD@TC=100 ℃	Общо разсейване на мощността	187	W
TSTG	Температурен диапазон на съхранение	-55 до 175	℃
TJ	Работен температурен диапазон на свързване	175	℃

Електрически характеристики (TJ=25 ℃, освен ако не е отбелязано друго)

Символ	Параметър	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Мерна единица
BVDSS	Пробивно напрежение дрейн-източник	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS температурен коефициент	Позоваване на 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (ВКЛ.)	Статично съпротивление на източване-източник	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Прагово напрежение на вратата	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Температурен коефициент	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Ток на изтичане-източник	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Ток на изтичане-източник	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Ток на утечка на порта-източник	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Съпротивление на вратата	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Общо зареждане на вратата (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Заряд порта-източник		---	80	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	60	---
Td (включено)	Време за забавяне на включване	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Време за издигане		---	50	---
Td (изключено)	Време за забавяне на изключване		---	228	---
Tf	Есенно време		---	322	---
Ciss	Входен капацитет	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Кос	Изходен капацитет		---	6160	---
Крос	Обратен трансферен капацитет		---	220	---