WSD30150ADN56 N-канал 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Преглед на продуктите на WINSOK MOSFET
Напрежението на WSD30150DN56 MOSFET е 30V, токът е 150A, съпротивлението е 1,8mΩ, каналът е N-канален, а опаковката е DFN5X6-8.
Области на приложение на WINSOK MOSFET
E-цигари MOSFET, безжично зареждане MOSFET, дронове MOSFET, медицински грижи MOSFET, зарядни за автомобили MOSFET, контролери MOSFET, дигитални продукти MOSFET, малки домакински уреди MOSFET, битова електроника MOSFET.
WINSOK MOSFET съответства на други номера на материали на марката
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.
POTENS полупроводников MOSFET PDC392X.
Параметри на MOSFET
| Символ | Параметър | Рейтинг | единици |
| VDS | Напрежение дрейн-източник | 30 | V |
| VGS | Гейт-Суrce напрежение | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Непрекъснат ток на изтичане, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Непрекъснат ток на изтичане, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Импулсен дренажен ток2 | 200 | A |
| EAS | Единична импулсна лавинна енергия3 | 125 | mJ |
| IAS | Лавинно течение | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Общо разсейване на мощността4 | 62.5 | W |
| TSTG | Температурен диапазон на съхранение | -55 до 150 | ℃ |
| TJ | Работен температурен диапазон на свързване | -55 до 150 | ℃ |
| Символ | Параметър | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
| BVDSS | Пробивно напрежение дрейн-източник | VGS=0V, азD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпературен коефициент | Позоваване на 25℃, азD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS (ВКЛ.) | Статично съпротивление на изтичане-източник2 | VGS=10V, ID=20А | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4.5V , ID=15А | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Прагово напрежение на вратата | VGS=VDS, азD=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температурен коефициент | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ток на изтичане-източник | VDS=24V, VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ток на утечка на порта-източник | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Права транспроводимост | VDS=5V, ID=10А | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Съпротивление на вратата | VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Общо зареждане на вратата (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4.5V , ID=30А | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Заряд порта-източник | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11.4 | --- | ||
| Td (включено) | Време за забавяне на включване | VDD=15V, VГЕН=10V , RG=6Ω, азD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Време за издигане | --- | 12 | --- | ||
| Td (изключено) | Време за забавяне на изключване | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Есенно време | --- | 29 | --- | ||
| Cбр | Входен капацитет | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Кос | Изходен капацитет | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Обратен трансферен капацитет | 260 | 320 | 420 |
