WSD100N15DN56G N-канален 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Номер на частта:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ДОКУМЕНТ ЗА САМОЛИЧНОСТ:100А

RDSON:6mΩ

канал:N-канал

Пакет:DFN5X6-8

Изпратете имейл до нас PDF

Подробности за продукта

Напрежението на WSD100N15DN56G MOSFET е 150V, токът е 100A, съпротивлението е 6mΩ, каналът е N-канален, а опаковката е DFN5X6-8.

Медицински захранвания MOSFET, PDs MOSFET, дронове MOSFET, електронни цигари MOSFET, основни уреди MOSFET и електрически инструменти MOSFET.

Символ	Параметър	Рейтинг	Единици
VDS	Напрежение дрейн-източник	150	V
VGS	Напрежение порта-източник	±20	V
ID	Непрекъснат ток на изтичане, V_GS@ 10V(T_C=25 ℃)	100	A
IDM	Импулсен дренажен ток	360	A
EAS	Единична импулсна лавинна енергия	400	mJ
P_D	Общо разсейване на мощността..._C=25 ℃)	160	W
RθJA	Термично съпротивление, съединение-околна среда	62	℃/W
RθJC	Термично съпротивление, съединителна кутия	0,78	℃/W
TSTG	Температурен диапазон на съхранение	-55 до 175	℃
T_J	Работен температурен диапазон на свързване	-55 до 175	℃

Символ	Параметър	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Мерна единица
BV_DSS	Пробивно напрежение дрейн-източник	V_GS=0V , I_D=250uA	150	---	---	V
RDS (ВКЛ.)	Статично съпротивление на източване-източник²	V_GS=10V, I_D=20А	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Прагово напрежение на вратата	V_GS=V_DS, аз_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Ток на изтичане-източник	V_DS=100V , V_GS=0V , T_J=25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Ток на утечка на порта-източник	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Общо изходно зареждане	V_DS=50V , V_GS=10V, I_D=20А	---	66	---	nC
Q_gs	Заряд порта-източник		---	26	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	18	---
Td (включено)	Време за забавяне на включване	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20А	---	37	---	ns
T_r	Време за издигане		---	98	---
Td (изключено)	Време за забавяне на изключване		---	55	---
T_f	Есенно време		---	20	---
C_бр	Входен капацитет	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Кос	Изходен капацитет		---	1730 г	---
C_rss	Обратен трансферен капацитет		---	195	---