-
Olukey: Нека поговорим за ролята на MOSFET в основната архитектура на бързото зареждане
Основната структура на захранването на QC за бързо зареждане използва обратен ход + вторична страна (вторична) синхронна ректификация SSR. За flyback преобразувателите, според метода за вземане на проби от обратната връзка, той може да бъде разделен на: първична страна (първична...Прочетете повече -
Колко знаете за параметрите на MOSFET? OLUKEY го анализира вместо вас
"MOSFET" е съкращението от металооксиден полупроводников полеви транзистор. Това е устройство, направено от три материала: метал, оксид (SiO2 или SiN) и полупроводник. MOSFET е едно от най-основните устройства в областта на полупроводниците. ...Прочетете повече -
Как да изберем MOSFET?
Напоследък, когато много клиенти идват в Olukey, за да се консултират относно MOSFET, те ще зададат въпрос, как да изберат подходящ MOSFET? По отношение на този въпрос, Olukey ще отговори на всички. Преди всичко трябва да разберем принца...Прочетете повече -
Принцип на работа на N-канален MOSFET режим на подобрение
(1) Контролният ефект на vGS върху ID и канал ① Случай на vGS=0 Може да се види, че има две последователни PN връзки между дрейна d и източника s на MOSFET в режим на подобрение. Когато напрежението порта-източник vGS=0, дори ако...Прочетете повече -
Връзката между опаковката на MOSFET и параметрите, как да изберем FET с подходяща опаковка
①Опаковка на плъгини: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Тип повърхностен монтаж: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Различни форми на опаковане, съответния граничен ток, напрежение и ефект на разсейване на топлината на MO...Прочетете повече -
Какво означават трите извода G, S и D на опакования MOSFET?
Това е опакован MOSFET пироелектричен инфрачервен сензор. Правоъгълната рамка е сензорният прозорец. Изводът G е заземяващият извод, изводът D е вътрешният дрейн на MOSFET, а изводът S е вътрешният източник на MOSFET. Във веригата,...Прочетете повече -
Значението на мощния MOSFET при разработването и проектирането на дънни платки
На първо място, разположението на гнездото на процесора е много важно. Трябва да има достатъчно място за инсталиране на вентилатора на процесора. Ако е твърде близо до ръба на дънната платка, ще бъде трудно да инсталирате радиатора на процесора в някои случаи, когато...Прочетете повече -
Говорете накратко за метода на производство на мощно MOSFET устройство за разсейване на топлината
Специфичен план: високомощно MOSFET устройство за разсейване на топлината, включващо корпус с куха структура и печатна платка. Платката е разположена в корпуса. Редица един до друг MOSFETs са свързани към двата края на веригата...Прочетете повече -
FET DFN2X2 пакет с един P-канал 20V-40V подреждане на модела_WINSOK MOSFET
Пакет WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, единичен P-канален FET, напрежение 20V-40V Моделите са обобщени, както следва: 1. Модел: WSD8823DN22 единичен P канал -20V -3,4A, вътрешно съпротивление 60mΩ Съответстващи модели: AOS:AON2403 ON Полупроводник: FDM ...Прочетете повече -
Подробно обяснение на принципа на работа на MOSFET с висока мощност
Мощните MOSFET (метал-оксид-полупроводникови полеви транзистори) играят важна роля в съвременното електронно инженерство. Това устройство се превърна в незаменим компонент в силова електроника и приложения с висока мощност благодарение на...Прочетете повече -
Разберете принципа на работа на MOSFET и прилагайте електронните компоненти по-ефективно
Разбирането на принципите на работа на MOSFET (метал-оксид-полупроводникови полеви транзистори) е от решаващо значение за ефективното използване на тези високоефективни електронни компоненти. MOSFET са незаменими елементи в електронните ...Прочетете повече -
Разберете MOSFET в една статия
Силовите полупроводникови устройства се използват широко в промишлеността, потреблението, военните и други области и имат висока стратегическа позиция. Нека да разгледаме цялостната картина на захранващите устройства от снимка: ...Прочетете повече
