Технологията за бързо зареждане, като основна част от съвременното електронно оборудване, бързо се развива и еволюира. Водени от пазара на бързо зареждане, индустрии като смартфони и електрически превозни средства все повече изискват бързи и ефективни решения за зареждане. Иновациите в технологията за бързо зареждане не само се фокусират върху подобряването на скоростта на зареждане, но също така наблягат на безопасността. С поглед към бъдещето технологията за бързо зареждане ще бъде комбинирана с безжично зареждане и по-ефективна технология за батерии, за да се постигне качествен скок и да се предостави на потребителите по-удобно и екологично изживяване при зареждане. С развитието на технологиите и разширяването на пазара се очаква индустрията за бързо зареждане да продължи да поддържа бърз растеж.
Когато говорим за приложението наMOSFETв технологията за бързо зареждане всъщност има няколко главоболия.
На първо място, защото бързото зареждане изисква голям токMOSFETще загрее много и как да се справим с тази топлина става голям проблем. След това има и предизвикателства за ефективността. При бързо превключване MOSFET лесно губи част от енергията си, което се отразява на ефективността на зареждане. Освен това оборудването за бързо зареждане се надява да бъде възможно най-малко, но това изисква MOSFET да бъде малък и също така да се справи с проблема с топлината. Тъй като MOSFET превключва бързо, той може да попречи на друго електронно оборудване, което също е проблем. И накрая, средата за бързо зареждане има високи изисквания към издържаното напрежение и ток на MOSFET, което е тест за тяхната производителност. Работата в тази среда за дълго време също може да повлияе на техния експлоатационен живот и надеждност. Накратко, въпреки че MOSFET е критичен за бързото зареждане, той е изправен пред много предизвикателства.
УИНЗОКMOSFET може да ви помогне да разрешите горните проблеми. Основните модели на приложение на WINSOK MOSFET при бързо зареждане са:
| Номер на част | Конфигурация | Тип | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Пакет | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (pF) | ||||
| Неженен | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Неженен | П-Ч | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Неженен | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | СОП-8 | |
| Неженен | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | СОП-8 | |
| Неженен | П-Ч | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 г | СОП-8 | |
| Неженен | П-Ч | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 г | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Неженен | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | ТО-220 | |
Номерата на други материали на марката, съответстващи на горния WINSOK MOSFET са:
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSD3050DN са: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542. Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTTFS4C08N. VISHAY SiSA84DN. Nxperian PSM N9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSD30L40DN са: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP6020 са: AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP16N10 са: AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4435 са: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685. VISHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4407 са: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LL H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4606 са: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901 CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSR80N10 са: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5- 100PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Време на публикуване: 28 ноември 2023 г
