Технологията за бързо зареждане, като основна част от съвременното електронно оборудване, бързо се развива и еволюира.Водени от пазара на бързо зареждане, индустрии като смартфони и електрически превозни средства все повече изискват бързи и ефективни решения за зареждане.Иновациите в технологията за бързо зареждане не само се фокусират върху подобряването на скоростта на зареждане, но също така наблягат на безопасността.С поглед към бъдещето технологията за бързо зареждане ще бъде комбинирана с безжично зареждане и по-ефективна технология за батерии, за да се постигне качествен скок и да се предостави на потребителите по-удобно и екологично изживяване при зареждане.С развитието на технологиите и разширяването на пазара се очаква индустрията за бързо зареждане да продължи да поддържа бърз растеж.
![WINSOK MOSFET се използва в бързи зарядни устройства](http://www.olukey.com/uploads/WINSOK-MOSFET-is-used-in-fast-chargers.jpg)
Когато говорим за приложението наMOSFETв технологията за бързо зареждане всъщност има няколко главоболия.
На първо място, защото бързото зареждане изисква голям токMOSFETще загрее много и как да се справим с тази топлина става голям проблем.След това има и предизвикателства за ефективността.При бързо превключване MOSFET лесно губи част от енергията си, което се отразява на ефективността на зареждане.Освен това оборудването за бързо зареждане се надява да бъде възможно най-малко, но това изисква MOSFET да бъде малък и също така да се справи с проблема с топлината.Тъй като MOSFET превключва бързо, той може да попречи на друго електронно оборудване, което също е проблем.И накрая, средата за бързо зареждане има високи изисквания към издържаното напрежение и ток на MOSFET, което е тест за тяхната производителност.Работата в тази среда за дълго време също може да повлияе на техния експлоатационен живот и надеждност.Накратко, въпреки че MOSFET е критичен за бързото зареждане, той е изправен пред много предизвикателства.
УИНЗОКMOSFET може да ви помогне да разрешите горните проблеми.Основните модели на приложение на WINSOK MOSFET при бързо зареждане са:
Номер на частта | Конфигурация | Тип | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Пакет | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (pF) | ||||
Неженен | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
Неженен | П-Ч | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
Неженен | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | СОП-8 | |
Неженен | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | СОП-8 | |
Неженен | П-Ч | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 г | СОП-8 | |
Неженен | П-Ч | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 г | СОП-8 | |
N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
Неженен | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | ТО-220 |
Номерата на други материали на марката, съответстващи на горния WINSOK MOSFET са:
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSD3050DN са: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542. Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTTFS4C08N. VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN 9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSD30L40DN са: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP6020 са: AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP16N10 са: AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4435 са: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VI SHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4407 са: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH 6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4606 са: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901C SK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSR80N10 са: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-1 00PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Време на публикуване: 28 ноември 2023 г