През последните години индустрията за захранване на LED устройства се характеризира с бърз технологичен напредък и нарастващо търсене на енергоспестяващи решения. С глобалния стремеж към устойчивост, пазарното възприемане на LED осветителни системи се увеличи значително, което от своя страна стимулира растежа на LED енергийната индустрия.
Съдейки по динамиката на пазара, индустрията е свидетел на тенденцията на LED драйвери, интегриращи интелигентни и програмируеми функции, за да отговорят на нарастващото търсене на интелигентни решения за осветление. Появата на IoT (Интернет на нещата) и AI (Изкуствен интелект) направи осветителните мрежи по-сложни, като LED драйверите оптимизират консумацията на енергия и се адаптират към променящите се условия в реално време.
В индустрията за захранване на светодиодни драйвери, ефективността и скоростта на превключване наMOSFET транзистори(метални оксидни полупроводникови полеви транзистори) са от решаващо значение. Тези полупроводникови устройства са неразделна част от светодиодните захранвания, тъй като те могат да се справят с големи токове с минимални загуби, осигурявайки енергийно ефективна работа. Ключовите атрибути на MOSFET технологията, ниското съпротивление и възможностите за бързо превключване, подобряват дизайна на захранването, позволявайки компактни, надеждни и високопроизводителни LED драйвери. Напредъкът в дизайна на MOSFET, като тези, които осигуряват нисък заряд на затвора и подобрени топлинни характеристики, продължават да стимулират развитието на решения за захранване на LED осветление с фокус върху устойчиви, енергийно ефективни и рентабилни приложения.
Приложението наУИНЗОКMOSFET в LED задвижващо захранване, основните приложени модели са:
| Номер на част | Конфигурация | Тип | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Пакет | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (pF) | ||||
| Неженен | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0,8 | 1.2 | - | - | 572 | СОТ-23-3Л | |
| Двойна | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | СОП-8 | |
| П-Ч | -60 | -4,5 | -1,5 | -2 | -2,5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Неженен | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | ТО-252 | |
| Неженен | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | ТО-252 | |
Други номера на материали на марката, съответстващи на горния WINSOKMOSFETса:
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WST3400 са: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP6946 са: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP6067 са: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET са: AOS AO4611, AO4612.
Съответните номера на материали за WINSOK MOSFET WSF15N10 са: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
Съответните материални номера наWINSOK MOSFETWSF40N10 са: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
Като цяло, индустрията за захранване на LED драйвери е готова за непрекъснат растеж, воден от енергийната ефективност, напредналите технологии и глобалното сближаване на интелигентни и устойчиви решения за осветление.
Време на публикуване: 6 ноември 2023 г
