WINSOK MOSFET със средно и ниско напрежение се използват в мобилни захранвания

Приложение

WINSOK MOSFET със средно и ниско напрежение се използват в мобилни захранвания

Преносимите захранващи банки (известни също като преносими зарядни устройства) се използват широко за различни електронни устройства. С напредъка в технологията на батериите се очаква бъдещите захранващи банки да бъдат по-леки, с по-висок капацитет и да предлагат по-бързи скорости на зареждане. Интелигентните функции и многофункционалността също ще бъдат ключови области за развитие, за да се отговори на нарастващото търсене на мобилни енергийни решения.

WINSOK MOSFET със средно и ниско напрежение се използват в мобилни захранвания

MOSFET в преносими захранващи банки (преносими зарядни устройства) са изправени пред предизвикателства по отношение на ефективността и издръжливостта. Ключовите проблеми включват загуба на мощност, недостатъчно управление на топлината и проблеми с надеждността при високи натоварвания, които ограничават производителността и продължителността на живота на захранващите банки.УИНЗОКMOSFET може да ви помогне да разрешите горните проблеми.

WINSOK MOSFET приложения със средно и ниско напрежение в мобилни захранвания, основни модели на приложение:

Номер на част

Конфигурация

Тип

VDS

ID (A)

VGS(th)(v)

RDS(ON)(mΩ)

Ciss

Пакет

@10V

(V)

Макс.

Мин.

Тип.

Макс.

Тип.

Макс.

(pF)

WST3400S

Неженен

N-Ch

30

5.6

0,5

0,8

1

-

-

525

СОТ-23Н

WST2316

Неженен

N-Ch

20

5.9

0,3

0,5

1.2

-

-

395

СОТ-23-3Л

WST3408

Неженен

N-Ch

30

5.5

1

1.4

2

26

32

391

СОТ-23-3Л

WST2339

Неженен

П-Ч

-20

-7.1

-0,5

-0,5

-1

-

-

2000 г

СОТ-23-3Л

WST3409

Неженен

П-Ч

-30

-5.1

-0,7

-1

-1.3

-

43

826

СОТ-23-3Л

WSD30L120DN56

Неженен

П-Ч

-30

-120

-1.2

-1,5

-2,5

2.9

3.6

6100

DFN5X6-8

WSP4406

Неженен

N-Ch

30

12

1.2

1.9

2.5

9.5

12

770

СОП-8

WSP9926

Двойно+ESD

N-Ch

20

7.2

0,5

0,7

1.2

-

-

615

СОП-8

WSP9926A

Двойно+ESD

N-Ch

20

7.5

0,5

0,7

1.1

-

-

620

СОП-8

WSP4435

Неженен

П-Ч

-30

-8.2

-1,5

-2

-2,5

16

20

2050 г

СОП-8

WSP4407

Неженен

П-Ч

-30

-13

-1.2

-2

-2,5

9.6

15

1550 г

СОП-8

WSP4953A

Двойна

П-Ч

-20

-5,8

-0,6

-1.1

-1,7

40

65

625

СОП-8

WSP4606

N+P

N-Ch

30

7

1

1.5

2.5

18

28

550

СОП-8

П-Ч

-30

-6

-1

-1,5

-2,5

30

38

645

WSF70P03

Неженен

П-Ч

-30

-65

-1

-1,6

-2,5

7.5

9.5

3448

ТО-252

Номерата на други материали на марката, съответстващи на горния WINSOK MOSFET са:
Съответните номера на материалите на WINSOK MOSFET WST3400S са: AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Включени диоди ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,DMC3032LSD,DMC3016LSD.Sinopower SM231 4NSA.Potens Semiconductor PDN3643.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WST2316 са: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WST3408 са: AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA S SM3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Включени диоди ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WST2339 са: AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM2335PS A.Potens Semiconductor PDN2309S.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WST3409 са: AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S .

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 са: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4406 са: AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS G.TOSHI BA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP9926 са: AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP9926A са: AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS3 810.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4435 са: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685. VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4407 са: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LL H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4953A са: AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL9 801.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Включени диоди ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSP4606 са: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semicondu ектор PDS3710.

Съответните номера на материала на WINSOK MOSFET WSF70P03 са: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.Onsemi, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT PJ D70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.


Време на публикуване: 24 ноември 2023 г